000627

124 21.10. Плотность состояний N ( E ). Величина, равная числу доступных уровней энергии в еди- ничном объеме и единичном интервале энергий. В модели свободных электронов, занимающих объем V , она определяется соотношением ( ) 21 2 3 23 2 Em V EN π =  . 21.10. Density of states N ( E ). The density of states of a system describes the number of available energy levels per unit energy interval. In a model of free electrons, the magnitude of density of states is given by the expression ( ) 21 2 3 23 2 Em V EN π =  . 21.11. Статистика Ферми–Дирака . Кванто- вая статистика микрочастиц с полуцелым спи- ном s = ½, называемых фермионами. Вероят- ность того, что данное состояние с энергией E будет занято электроном (фермионом), опреде- ляется функцией распределения Ферми–Дирака: ( ) ( ) 1 1 / + = − kT EE F e EP , где E F – энергия уровня Ферми, вероятность за- нятости которого электроном равна ½. Энергия Ферми для металла определяется как 3/2 2 2 ) 3( 2 e F n m E π =  . В меди при температуре 0 K ее значение рав- но E F = 7,0 эВ. 26.11. Fermi–Dirac statistics. Quantum statis- tics of microparticles with half-integer spins = ½, are called fermions. The probability that a given available state of energy E will be occupied by an electron (fermion) is given by Fermi–Dirac distribu- tion function, ( ) ( ) 1 1 / + = − kT EE F e EP , where E F is the energy of Fermi level at which the probability of occupation by an electron is exactly one half. The Fermi energy for a metal is given by 3/2 2 2 ) 3( 2 e F n m E π =  . At a temperature of 0 K its magnitude for copper E F = 7,0 eV. 21.12. Контактная разность потенциалов. Воз- никает при контакте двух металлов или полупро- водников. Если они имеют различные работы вы- хода w 1 и w 2 , то при их контакте произойдет вы- равнивание уровня Ферми. При w 1 > w 2 первый металл или полупроводник приобретает положи- тельный заряд в области контакта, что приведет к возникновению контактной разности потенци- алов между ними. Она не измеряется обычным вольтметром, тем не менее, сильно влияет на по- ведение целого ряда электронных устройств. 21.12. Contact potential difference. The poten- tial difference that occurs between two electrically connected metals or semiconductors. If two con- ductors with work functions w 1 and w 2 are brought into contact, their Fermi levels will coincide. If w 1 > w 2 the first conductor will acquire a positive sur- face charge with respect to the other contact. This result is said to be a contact potential difference. It cannot be directly measured with an ordinary volt- meter. Nevertheless, it profoundly affects the behav- ior of a number of electronic devices. 21.13. Примесный полупроводник. Полу- проводник, электрические свойства которого определяются наличием примесных атомов. По- лупроводник n -типа ( n – negative ) имеет примесь донорных атомов, поставляющих большое чис- ло электронов в зону проводимости. Полупрово- дник p -типа ( p – positive ) создается примесью ак- цепторных атомов, увеличивающих число ды- рок в валентной зоне . 21.13. Impurity semiconductor. It is a semicon- ductor, which electric properties are determined by the presence of impurity atoms. Semiconductor of n-type (n for negative) is doped with donor atoms that provide a large number of electrons in the con- duction band. Semiconductor of p-type (p for posi- tive) is doped with acceptor atoms, contributing the number of holes in the valence band. 21.14. P-n (электронно-дырочный) переход. Это граница между областями полупроводников n -типа и p -типа в одном полупроводниковом кри- сталле. Электрические процессы в  p - n переходах обеспечивают функционирование полупроводни- ковых приборов с нелинейной вольтамперной ха- рактеристикой (диодов, транзисторов и других). 21.14. P-n junction. A p-n junction is a bound- ary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crys- tal of semiconductor.  Electrical processes in these junctions are the backbone of semiconductor devic- es production with nonlinear current-voltage charac- teristic (diodes, transistors, and other).